新唐科技 NuMicro® M2L31 系列是新一代 32 位元低功耗微控制器，基於 Arm Cortex-M23 核心，支援 Armv8-M 指令集架構，運行速度可達 72 MHz，具備 64 至 512 KB 的 ReRAM、內建雙區塊 (Dual Bank) 架構可支援 OTA (Over-The-Air) 固件升級，以及 40 至 168 KB 的 SRAM，提供 1.71V 至 3.6V 的工作電壓、- 40 °C 至 105 °C 的工作溫度，並具有 4 kV ESD HBM 和 4.4 kV EFT 的出色高抗干擾特性。

ReRAM (電阻式記憶體) 是一種非揮發性記憶體，被視為潛在的下一代嵌入式通用記憶體，並在物聯網 (IoT) 設備、移動設備、嵌入式系統等領域中具有廣泛的應用前景。透過施加外部偏壓以改變元件的高低電阻狀態，達到數位訊號儲存的效果。它具有讀寫速度快、低耗能和優越的耐久性等三大特點，與嵌入式閃存不同，ReRAM 在進行寫入操作時無需先進行擦除，因此寫入速度更快，且類似於 EEPROM 的使用方式，簡便又快速。此外，相較於閃存，ReRAM 的能耗更低，因為儲存每一位所需的能量小於在閃存中所需的能量。另外，由於每個儲存單元都可以獨立進行置位或復位，因此耐久性也比閃存更高。

正常運行模式提供低至 60 μA/ MHz 的功耗，支援 3 種低功耗模式，包括正常掉電、待機掉電和深度掉電模式。在正常掉電模式下提供三種低頻時鐘源如 MIRC、LIRC 和 LXT，除了縮短高精度感測器的穩定工作時間也降低整體的運行耗電。此外，還具備新唐特有的低功耗域中的自動操作模式，便可通過設定低耗電時鐘源，透過低功耗序列介面收集的資料搬運至低功耗 SRAM 區域，整套過程不須 CPU 處理器介入以達最省電有效的自動化機制。

M2L31 系列提供最多三個可編程增益放大器與三個比較器，一個 24 通道高速 3.6 MSPS 的 12 位 SAR ADC，兩個 12 位 1 MSPS 的 DAC，12 通道 16 位 72 MHz PWM，以及最多 12 通道 16 位 144 MHz EPWM。

M2L31 提供符合 USB Type-C Rev. 2.1 和 USB Power Delivery Rev. 3.0 規格的控制器。支援 dead battery 與 fast role swap 功能，支援靈活的電源與資料傳輸。

M2L31 系列提供了豐富的外設，帶有獨立 VBAT 引腳的 RTC、最多 16 通道的 PDMA、最多 16 個獨立的電容觸摸按鍵、最多 2 組 CAN FD 控制器、USB 2.0 FS OTG 具備主機和設備控制器、最多 8 組 UART、最多 4 組 I2C、最多 4 組 SPI/I2S、1 組 QSPI，以及 2 組通用串列控制介面 (USCI)。

支持的封裝包括 WLCSP25 (2.5 mm x 2.5 mm)、QFN32 (5 mm x 5 mm)、LQFP48 (7 mm x 7 mm)、QFN 48 (5 mm x 5 mm)、WLCSP49 (3.0 mm x 3.0 mm)、LQFP64 (7 mm x 7 mm) 和 LQFP128 (14 mm x 14 mm)。 

新唐 M2L31 NuMaker 評估板和 Nu-Link 除錯器為產品評估與開發的利器。並且支援第三方廠商提供的 IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM 和帶 GNU GCC 編譯器的 NuEclipse IDE。

目標應用

• 馬達控制
• 電腦周邊
• 工業自動化
• 電池管理

關鍵特性: